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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTB743EETL
Rohm Semiconductor
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DTB743EETL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTB743EETL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTB743EETL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
DTB743EE,EM.pdf
RoHS Status
vorrätig: 285800

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Anzahl

Spezifikation

DTB743EETL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTB743EETL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTB743EETL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse EMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 260 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 115 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA  
Grundproduktnummer DTB743  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTB743EETL.

Produkteigenschaften DTB743EETL DTB543EETL DTB523YMT2L DTB713ZMT2L
Artikelnummer DTB743EETL DTB543EETL DTB523YMT2L DTB713ZMT2L
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA 500 mA 500 mA 200 mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 115 @ 100mA, 2V 115 @ 100mA, 2V 140 @ 100mA, 2V 140 @ 100mA, 2V
Frequenz - Übergang 260 MHz 260 MHz 260 MHz 260 MHz
Grundproduktnummer DTB743 DTB543 DTB523 DTB713
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 2.2 kOhms 1 kOhms
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 150 mW 150 mW 150 mW 150 mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SOT-723 SOT-723
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse EMT3 EMT3 VMT3 VMT3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 12 V 12 V 30 V

DTB743EETL Datenblatt PDF

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Datenblätter
DTB743EE,EM.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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