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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysEM6J1T2R
EM6J1T2R Image
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EM6J1T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EM6J1T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EM6J1T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EM6J1T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 202800

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Anzahl

Spezifikation

EM6J1T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EM6J1T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EM6J1T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Leistung - max 150mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer EM6J1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EM6J1T2R.

Produkteigenschaften EM6J1T2R EM6K31GT2R EM6K33T2R EM6K1T2R
Artikelnummer EM6J1T2R EM6K31GT2R EM6K33T2R EM6K1T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 150mW 120mW 150mW 150mW
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA 250mA 200mA 100mA
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Serie - - - -
Grundproduktnummer EM6J1 EM6K31 EM6K33 EM6K1
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 10V 15pF @ 25V 25pF @ 10V 13pF @ 5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.4Ohm @ 250mA, 10V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 8Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 60V 50V 30V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 2.3V @ 1mA 1V @ 1mA 1.5V @ 100µA

EM6J1T2R Datenblatt PDF

Laden Sie EM6J1T2R PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für EM6J1T2R - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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