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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysEM6K33T2R
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EM6K33T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EM6K33T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EM6K33T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EM6K33T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 211060

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Anzahl

Spezifikation

EM6K33T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EM6K33T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EM6K33T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Leistung - max 150mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 1.2V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer EM6K33  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EM6K33T2R.

Produkteigenschaften EM6K33T2R EM6J1T2R EM6K31GT2R EM6K1T2R
Artikelnummer EM6K33T2R EM6J1T2R EM6K31GT2R EM6K1T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Grundproduktnummer EM6K33 EM6J1 EM6K31 EM6K1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V 115pF @ 10V 15pF @ 25V 13pF @ 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.4Ohm @ 250mA, 10V 8Ohm @ 10mA, 4V
Leistung - max 150mW 150mW 120mW 150mW
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA 200mA 250mA 100mA
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 1.4nC @ 4.5V - -
FET-Merkmal Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V 20V 60V 30V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 100µA 2.3V @ 1mA 1.5V @ 100µA

EM6K33T2R Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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