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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysEM6K31GT2R
EM6K31GT2R Image
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EM6K31GT2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EM6K31GT2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EM6K31GT2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EM6K31GT2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 298120

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Anzahl

Spezifikation

EM6K31GT2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EM6K31GT2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EM6K31GT2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V  
Leistung - max 120mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer EM6K31  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EM6K31GT2R.

Produkteigenschaften EM6K31GT2R EM6K33T2R EM6K34T2CR EM6J1T2R
Artikelnummer EM6K31GT2R EM6K33T2R EM6K34T2CR EM6J1T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Leistung - max 120mW 150mW 120mW 150mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V 25pF @ 10V 26pF @ 10V 115pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - 1.4nC @ 4.5V
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate, 0.9V Drive Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Grundproduktnummer EM6K31 EM6K33 EM6K34 EM6J1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 50V 50V 20V
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA 1V @ 1mA 800mV @ 1mA 1V @ 100µA
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA 200mA 200mA 200mA

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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EM6K31GT2R

Rohm Semiconductor
32D-EM6K31GT2R

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