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EM6K34T2CR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EM6K34T2CR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EM6K34T2CR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EM6K34T2CR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 538700

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Anzahl

Spezifikation

EM6K34T2CR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EM6K34T2CR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EM6K34T2CR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Leistung - max 120mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 0.9V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer EM6K34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EM6K34T2CR.

Produkteigenschaften EM6K34T2CR EM6K33T2R EM6K7T2R EM6K31T2R
Artikelnummer EM6K34T2CR EM6K33T2R EM6K7T2R EM6K31T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Serie - - - -
Leistung - max 120mW 150mW 150mW 150mW
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA 200mA 200mA 250mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate, 0.9V Drive Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Grundproduktnummer EM6K34 EM6K33 EM6K7 EM6K31
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 10V 25pF @ 10V 25pF @ 10V 15pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.3V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V 50V 20V 60V
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 EMT6

EM6K34T2CR Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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