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EM6M2T2R Image
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EM6M2T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EM6M2T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EM6M2T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EM6M2T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 212910

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Anzahl

Spezifikation

EM6M2T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EM6M2T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EM6M2T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 200mA, 4V  
Leistung - max 150mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer EM6M2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EM6M2T2R.

Produkteigenschaften EM6M2T2R EM6K33T2R EM6M1T2R EM6K34T2CR
Artikelnummer EM6M2T2R EM6K33T2R EM6M1T2R EM6K34T2CR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 120mW
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - 800mV @ 1mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 50V 30V, 20V 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - 0.9nC @ 4.5V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V 25pF @ 10V 13pF @ 5V 26pF @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 0.9V Drive
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Konfiguration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer EM6M2 EM6K33 EM6M1 EM6K34
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA 200mA 100mA, 200mA 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 200mA, 4V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 8Ohm @ 10mA, 4V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

EM6M2T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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