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EMD4T2R Image
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EMD4T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMD4T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMD4T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMD4T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 437960

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Anzahl

Spezifikation

EMD4T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMD4T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMD4T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms, 10kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMD4T2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMD4T2R.

Produkteigenschaften EMD4T2R EMD53T2R EMD59T2R EMD4DXV6T1G
Artikelnummer EMD4T2R EMD53T2R EMD59T2R EMD4DXV6T1G
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 SOT-563
Grundproduktnummer EMD4T2 EMD53 EMD59 EMD4DXV6
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 500mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 10kOhms 47kOhms 47kOhms
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms, 10kOhms 10kOhms 10kOhms 47kOhms, 10kOhms
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz -

EMD4T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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