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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMD59T2R
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EMD59T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMD59T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMD59T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMD59T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 379000

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Anzahl

Spezifikation

EMD59T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMD59T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMD59T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMD59  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMD59T2R.

Produkteigenschaften EMD59T2R EMD62T2R EMD4DXV6T1G EMD6T2R
Artikelnummer EMD59T2R EMD62T2R EMD4DXV6T1G EMD6T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 47kOhms 47kOhms, 10kOhms 4.7kOhms
Grundproduktnummer EMD59 EMD62 EMD4DXV6 EMD6T2
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 150mW 150mW 500mW 150mW
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 SOT-563 EMT6
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 47kOhms 47kOhms -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz - 250MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA -

EMD59T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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