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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMD53T2R
EMD53T2R Image
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EMD53T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMD53T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMD53T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMD53T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 386900

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Anzahl

Spezifikation

EMD53T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMD53T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMD53T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMD53  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMD53T2R.

Produkteigenschaften EMD53T2R EMD4T2R EMD4DXV6T5G EMD6T2R
Artikelnummer EMD53T2R EMD4T2R EMD4DXV6T5G EMD6T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 SOT-563 EMT6
Leistung - max 150mW 150mW 500mW 150mW
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V 68 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 100 @ 1mA, 5V
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms 47kOhms 47kOhms -
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz - 250MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA -
Grundproduktnummer EMD53 EMD4T2 EMD4DXV6 EMD6T2
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 47kOhms, 10kOhms 47kOhms, 10kOhms 4.7kOhms
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA

EMD53T2R Datenblatt PDF

Laden Sie EMD53T2R PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für EMD53T2R - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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