Spezifikation
IMB9AT110 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMB9AT110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMB9AT110
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
LAPIS Technology |
|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
50V |
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| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
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| Transistor-Typ |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
SMT6 |
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| Serie |
- |
|
| Widerstand - Emitterbasis (R2) |
47kOhms |
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| Widerstand - Basis (R1) |
10kOhms |
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| Leistung - max |
300mW |
|
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
SC-74, SOT-457 |
|
| Paket |
Tape & Reel (TR) |
|
| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Frequenz - Übergang |
250MHz |
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| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE |
68 @ 5mA, 5V |
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| Strom - Collector Cutoff (Max) |
500nA |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
100mA |
|
| Grundproduktnummer |
IMB9 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
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