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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedIMB7AT108
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IMB7AT108 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IMB7AT108
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-IMB7AT108
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-457
Datenblatt
IMB7A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 209820

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Anzahl

Spezifikation

IMB7AT108 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMB7AT108 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMB7AT108

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-457  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms  
Leistung - max 300mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer IMB7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor IMB7AT108.

Produkteigenschaften IMB7AT108 IMB9AT110 IMB2AT110 IMB4AT110
Artikelnummer IMB7AT108 IMB9AT110 IMB2AT110 IMB4AT110
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms 10kOhms 47kOhms 10kOhms
Frequenz - Übergang - 250MHz 250MHz 250MHz
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Serie - - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) - 47kOhms 47kOhms -
Supplier Device-Gehäuse SOT-457 SMT6 SMT6 SMT6
Strom - Collector Cutoff (Max) - 500nA 500nA -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Grundproduktnummer IMB7 IMB9 IMB2 IMB4
Verpackung / Gehäuse SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA

IMB7AT108 Datenblatt PDF

Laden Sie IMB7AT108 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für IMB7AT108 - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
IMB7A.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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