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IMD2AT108 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IMD2AT108
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-IMD2AT108
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
SMT6 T108 Taping Spec.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 297220

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Spezifikation

IMD2AT108 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMD2AT108 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMD2AT108

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms  
Leistung - max 300mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer IMD2  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor IMD2AT108.

Produkteigenschaften IMD2AT108 IMD6AT108 IMD16AT108 IMD3AT108
Artikelnummer IMD2AT108 IMD6AT108 IMD16AT108 IMD3AT108
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms - 22kOhms 10kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA 300mV @ 500µA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V 30 @ 5mA, 5V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA (ICBO) - 500nA
Supplier Device-Gehäuse SMT6 SMT6 SMT6 SMT6
Grundproduktnummer IMD2 IMD6 IMD16 IMD3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA, 500mA 100mA
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms 4.7kOhms 100kOhms, 2.2kOhms 10kOhms

IMD2AT108 Datenblatt PDF

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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