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IMD1AT108 Image
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IMD1AT108 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IMD1AT108
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-IMD1AT108
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
FMC6A, IMD1A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 282540

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Spezifikation

IMD1AT108 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMD1AT108 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMD1AT108

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms  
Leistung - max 300mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer IMD1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor IMD1AT108.

Produkteigenschaften IMD1AT108 IMD14T108 IMD10AMT1G IMD3AT108
Artikelnummer IMD1AT108 IMD14T108 IMD10AMT1G IMD3AT108
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SMT6 SMT6 SC-74R SMT6
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz - 250MHz
Widerstand - Emitterbasis (R2) - 10kOhms 10kOhms 10kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 500mA 500mA 100mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer IMD1 IMD14 IMD10 IMD3
Leistung - max 300mW 300mW 285mW 300mW
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Strom - Collector Cutoff (Max) - 500nA 500nA 500nA
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms 220Ohms 13kOhms, 130Ohms 10kOhms
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 82 @ 100mA, 5V 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V 30 @ 5mA, 5V

IMD1AT108 Datenblatt PDF

Laden Sie IMD1AT108 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für IMD1AT108 - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
FMC6A, IMD1A.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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IMD1AT108

Rohm Semiconductor
32D-IMD1AT108

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