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IMD3AT108 Image
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IMD3AT108 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IMD3AT108
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-IMD3AT108
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
SMT6 T108 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 378880

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Anzahl

Spezifikation

IMD3AT108 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMD3AT108 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMD3AT108

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 300mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer IMD3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor IMD3AT108.

Produkteigenschaften IMD3AT108 IMD16AT108 IMD2AT108 IMD1AT108
Artikelnummer IMD3AT108 IMD16AT108 IMD2AT108 IMD1AT108
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Grundproduktnummer IMD3 IMD16 IMD2 IMD1
Supplier Device-Gehäuse SMT6 SMT6 SMT6 SMT6
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms 22kOhms 22kOhms -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA, 500mA 100mA 100mA
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 100kOhms, 2.2kOhms 22kOhms 22kOhms
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Serie - - - -
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA - 500nA -

IMD3AT108 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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