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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRAF040P01TCL
Rohm Semiconductor
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RAF040P01TCL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RAF040P01TCL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RAF040P01TCL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-SMD, Flat Leads
Datenblatt
RAF040P01TCL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 133020

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Anzahl

Spezifikation

RAF040P01TCL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RAF040P01TCL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RAF040P01TCL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 800mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer RAF040  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RAF040P01TCL.

Produkteigenschaften RAF040P01TCL IRLR3715TRL SI5435BDC-T1-E3 FQP6N40C
Artikelnummer RAF040P01TCL IRLR3715TRL SI5435BDC-T1-E3 FQP6N40C
Hersteller Rohm Semiconductor Infineon Technologies Vishay Siliconix onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 4.5V 14mOhm @ 26A, 10V 45mOhm @ 4.3A, 10V 1Ohm @ 3A, 10V
Serie - HEXFET® TrenchFET® QFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 54A (Tc) 4.3A (Ta) 6A (Tc)
Vgs (Max) -8V ±20V ±20V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TUMT3 D-Pak 1206-8 ChipFET™ TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 24 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Grundproduktnummer RAF040 - SI5435 FQP6
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 800mW (Ta) 3.8W (Ta), 71W (Tc) 1.3W (Ta) 73W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 6 V 1060 pF @ 10 V - 625 pF @ 25 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, Flat Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SMD, Flat Lead TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 20 V 30 V 400 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
FET-Merkmal - - - -

RAF040P01TCL Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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