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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRE1L002SNTL
Rohm Semiconductor
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RE1L002SNTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RE1L002SNTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RE1L002SNTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-89, SOT-490
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 388850

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Spezifikation

RE1L002SNTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RE1L002SNTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RE1L002SNTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA (Ta)  
Grundproduktnummer RE1L002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RE1L002SNTL.

Produkteigenschaften RE1L002SNTL RE1C002ZPTL RE1E002SPTCL RE1C001UNTCL
Artikelnummer RE1L002SNTL RE1C002ZPTL RE1E002SPTCL RE1C001UNTCL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V 4V, 10V 1.2V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA 1V @ 100µA 2.5V @ 1mA 1V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±8V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA (Ta) 200mA (Ta) 250mA (Ta) 100mA (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 20 V 30 V 20 V
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 25 V 115 pF @ 10 V 30 pF @ 10 V 7.1 pF @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490
Grundproduktnummer RE1L002 RE1C002 RE1E002 RE1C001
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 1.4Ohm @ 250mA, 10V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V

RE1L002SNTL Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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