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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRRL035P03TR
Rohm Semiconductor
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RRL035P03TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RRL035P03TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RRL035P03TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
RRL035P03TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 258210

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Anzahl

Spezifikation

RRL035P03TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RRL035P03TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RRL035P03TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 320mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta)  
Grundproduktnummer RRL035  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RRL035P03TR.

Produkteigenschaften RRL035P03TR SI4778DY-T1-GE3 HUFA76645S3ST FQPF65N06
Artikelnummer RRL035P03TR SI4778DY-T1-GE3 HUFA76645S3ST FQPF65N06
Hersteller Rohm Semiconductor Vishay Siliconix onsemi Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 10 V 680 pF @ 13 V 4400 pF @ 25 V 2410 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta) 8A (Tc) 75A (Tc) 40A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 18 nC @ 10 V 153 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Grundproduktnummer RRL035 SI4778 HUFA76 -
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 100 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse TUMT6 8-SOIC D²PAK (TO-263) TO-220F-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Verlustleistung (max) 320mW (Ta) 2.4W (Ta), 5W (Tc) 310W (Tc) 56W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 16mOhm @ 20A, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - TrenchFET® UltraFET™ QFET®

RRL035P03TR Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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