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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRRL025P03TR
Rohm Semiconductor
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RRL025P03TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RRL025P03TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RRL025P03TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
RRL025P03.pdf
RoHS Status
vorrätig: 94570

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Anzahl

Spezifikation

RRL025P03TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RRL025P03TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RRL025P03TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 320mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)  
Grundproduktnummer RRL025  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RRL025P03TR.

Produkteigenschaften RRL025P03TR HUFA76429D3S IRFU3607PBF IRFS7787PBF
Artikelnummer RRL025P03TR HUFA76429D3S IRFU3607PBF IRFS7787PBF
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi Infineon Technologies International Rectifier
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V 1480 pF @ 25 V 3070 pF @ 50 V 4020 pF @ 25 V
Grundproduktnummer RRL025 HUFA76 IRFU3607 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2.5A, 10V 23mOhm @ 20A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 8.4mOhm @ 46A, 10V
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 320mW (Ta) 110W (Tc) 140W (Tc) 125W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta) 20A (Tc) 56A (Tc) 76A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V 75 V 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V 46 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V
Serie - UltraFET™ HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA 4V @ 100µA 3.7V @ 100µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
Supplier Device-Gehäuse TUMT6 TO-252AA IPAK (TO-251AA) PG-TO263-3-2

RRL025P03TR Datenblatt PDF

Laden Sie RRL025P03TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RRL025P03TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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