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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRS1E200BNTB
Rohm Semiconductor
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RS1E200BNTB - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RS1E200BNTB
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RS1E200BNTB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
RS1E200BNTB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 109820

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Anzahl

Spezifikation

RS1E200BNTB Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RS1E200BNTB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RS1E200BNTB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-HSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)  
Grundproduktnummer RS1E  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RS1E200BNTB.

Produkteigenschaften RS1E200BNTB RS1E150GNTB RS1E200GNTB RS1E280GNTB
Artikelnummer RS1E200BNTB RS1E150GNTB RS1E200GNTB RS1E280GNTB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V 8.8mOhm @ 15A, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V 2.6mOhm @ 28A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer RS1E RS1E RS1E RS1E
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 15 V 590 pF @ 15 V 1080 pF @ 15 V 2300 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 16.8 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 25W (Tc) 3W (Ta), 22.9W (Tc) 3W (Ta), 25.1W (Tc) 3W (Ta), 31W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta) 15A (Ta) 20A (Ta) 28A (Ta)

RS1E200BNTB Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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