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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRS1E200GNTB
Rohm Semiconductor
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RS1E200GNTB - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RS1E200GNTB
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RS1E200GNTB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
RS1E200GNTB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 80700

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Spezifikation

RS1E200GNTB Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RS1E200GNTB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RS1E200GNTB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-HSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 25.1W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)  
Grundproduktnummer RS1E  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RS1E200GNTB.

Produkteigenschaften RS1E200GNTB RS1E150GNTB RS1E280GNTB RS1E200BNTB
Artikelnummer RS1E200GNTB RS1E150GNTB RS1E280GNTB RS1E200BNTB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 25.1W (Tc) 3W (Ta), 22.9W (Tc) 3W (Ta), 31W (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta) 15A (Ta) 28A (Ta) 20A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V 8.8mOhm @ 15A, 10V 2.6mOhm @ 28A, 10V 3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Grundproduktnummer RS1E RS1E RS1E RS1E
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 15 V 590 pF @ 15 V 2300 pF @ 15 V 3100 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP

RS1E200GNTB Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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