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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRS1E280GNTB
Rohm Semiconductor
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RS1E280GNTB - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RS1E280GNTB
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RS1E280GNTB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
RS1E280GNTB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 104670

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Anzahl

Spezifikation

RS1E280GNTB Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RS1E280GNTB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RS1E280GNTB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-HSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 31W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta)  
Grundproduktnummer RS1E  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RS1E280GNTB.

Produkteigenschaften RS1E280GNTB RS1E321GNTB1 RS1E320GNTB RS1E200GNTB
Artikelnummer RS1E280GNTB RS1E321GNTB1 RS1E320GNTB RS1E200GNTB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta) 32A (Ta), 80A (Tc) 32A (Ta) 20A (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 31W (Tc) 3W (Ta) 3W (Ta), 34.6W (Tc) 3W (Ta), 25.1W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 42.8 nC @ 10 V 42.8 nC @ 10 V 16.8 nC @ 10 V
Grundproduktnummer RS1E RS1E RS1E RS1E
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 28A, 10V 2.1mOhm @ 32A, 10V 1.9mOhm @ 32A, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 15 V 2850 pF @ 15 V 2850 pF @ 15 V 1080 pF @ 15 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

RS1E280GNTB Datenblatt PDF

Laden Sie RS1E280GNTB PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RS1E280GNTB - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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