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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRU1C001ZPTL
Rohm Semiconductor
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RU1C001ZPTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RU1C001ZPTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RU1C001ZPTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 827150

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Spezifikation

RU1C001ZPTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RU1C001ZPTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RU1C001ZPTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta)  
Grundproduktnummer RU1C001  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RU1C001ZPTL.

Produkteigenschaften RU1C001ZPTL RU1C002ZPTCL RU1C001UNTCL RU1E002SPTCL
Artikelnummer RU1C001ZPTL RU1C002ZPTCL RU1C001UNTCL RU1E002SPTCL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 4V, 10V
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 200mW (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta) 200mA (Ta) 100mA (Ta) 250mA (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse UMT3F UMT3F UMT3F UMT3F
Vgs (Max) ±10V ±10V ±12V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 100µA 2.5V @ 1mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V 115 pF @ 10 V 7.1 pF @ 10 V 30 pF @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Verpackung / Gehäuse SC-85 SC-85 SC-85 SC-85
Grundproduktnummer RU1C001 RU1C002 RU1C001 RU1E002
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Serie - - - -

RU1C001ZPTL Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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