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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRU1C002ZPTCL
Rohm Semiconductor
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RU1C002ZPTCL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RU1C002ZPTCL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RU1C002ZPTCL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 702800

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Spezifikation

RU1C002ZPTCL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RU1C002ZPTCL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RU1C002ZPTCL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer RU1C002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RU1C002ZPTCL.

Produkteigenschaften RU1C002ZPTCL RU1C001ZPTL RU1C002UNTCL RU1E002SPTCL
Artikelnummer RU1C002ZPTCL RU1C001ZPTL RU1C002UNTCL RU1E002SPTCL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse SC-85 SC-85 SC-85 SC-85
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V 15 pF @ 10 V 25 pF @ 10 V 30 pF @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse UMT3F UMT3F UMT3F UMT3F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) 100mA (Ta) 200mA (Ta) 250mA (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Grundproduktnummer RU1C002 RU1C001 RU1C002 RU1E002
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 2.5V 4V, 10V
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±10V ±10V ±8V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

RU1C002ZPTCL Datenblatt PDF

Laden Sie RU1C002ZPTCL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RU1C002ZPTCL - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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