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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRU1E002SPTCL
Rohm Semiconductor
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RU1E002SPTCL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RU1E002SPTCL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RU1E002SPTCL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 548550

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Anzahl

Spezifikation

RU1E002SPTCL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RU1E002SPTCL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RU1E002SPTCL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 250mA, 10V  
Verlustleistung (max) 200mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA (Ta)  
Grundproduktnummer RU1E002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RU1E002SPTCL.

Produkteigenschaften RU1E002SPTCL RU1C001ZPTL RU1C002UNTCL RU1C002ZPTCL
Artikelnummer RU1E002SPTCL RU1C001ZPTL RU1C002UNTCL RU1C002ZPTCL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 200mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 1.2V, 4.5V 1.2V, 2.5V 1.2V, 4.5V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V 15 pF @ 10 V 25 pF @ 10 V 115 pF @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±10V ±8V ±10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Supplier Device-Gehäuse UMT3F UMT3F UMT3F UMT3F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 250mA, 10V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Verpackung / Gehäuse SC-85 SC-85 SC-85 SC-85
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1V @ 100µA 1V @ 1mA 1V @ 100µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA (Ta) 100mA (Ta) 200mA (Ta) 200mA (Ta)
Grundproduktnummer RU1E002 RU1C001 RU1C002 RU1C002
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

RU1E002SPTCL Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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