RZQ045P01TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RZQ045P01TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RZQ045P01TR

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	LAPIS Technology
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TSMT6 (SC-95)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.25W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2450 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.5A (Ta)
Grundproduktnummer	RZQ045

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RZQ045P01TR.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	RZQ045P01TR	IRF6619TRPBF	STI24N60M2	IRFHM831TR2PBF
Hersteller	Rohm Semiconductor	Infineon Technologies	STMicroelectronics	Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse	TSMT6 (SC-95)	DIRECTFET™ MX	I2PAK (TO-262)	PQFN (3x3)
Vgs (Max)	±10V	±20V	±25V	-
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	2.45V @ 250µA	4V @ 250µA	2.35V @ 25µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	4.5V, 10V	10V	-
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube	Cut Tape (CT)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.5A (Ta)	30A (Ta), 150A (Tc)	18A (Tc)	14A (Ta), 40A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 4.5 V	57 nC @ 4.5 V	29 nC @ 10 V	16 nC @ 10 V
Verlustleistung (max)	1.25W (Ta)	2.8W (Ta), 89W (Tc)	150W (Tc)	-
Serie	-	HEXFET®	MDmesh™ II Plus	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 4.5A, 4.5V	2.2mOhm @ 30A, 10V	190mOhm @ 9A, 10V	7.8mOhm @ 12A, 10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET	P-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Grundproduktnummer	RZQ045	-	STI24	-
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	DirectFET™ Isometric MX	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	8-PowerTDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2450 pF @ 6 V	5040 pF @ 10 V	1060 pF @ 100 V	1050 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-	-	-	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V	20 V	600 V	30 V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-

RZQ045P01TR Datenblatt PDF

Laden Sie RZQ045P01TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RZQ045P01TR - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation: TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf
Datenblätter: RZQ045P01 ~.pdf

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Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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