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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTU5N60M2
STU5N60M2 Image
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STU5N60M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STU5N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STU5N60M2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.7A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
STx5N60M2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 57180

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Anzahl

Spezifikation

STU5N60M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STU5N60M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STU5N60M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.85A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Tc)  
Grundproduktnummer STU5N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STU5N60M2.

Produkteigenschaften STU5N60M2 STU4N62K3 STU5N52K3 STU5N65M6
Artikelnummer STU5N60M2 STU4N62K3 STU5N52K3 STU5N65M6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 620 V 525 V 650 V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc) 45W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer STU5N60 STU4N62 STU5N STU5N65
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.85A, 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 1.3Ohm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 5.1 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165 pF @ 100 V 550 pF @ 50 V 545 pF @ 100 V 170 pF @ 100 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Tc) 3.8A (Tc) 4.4A (Tc) 4A (Tc)
Serie MDmesh™ II Plus SuperMESH3™ SuperMESH3™ MDmesh™ M6
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 3.75V @ 250µA

STU5N60M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STU5N60M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STU5N60M2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STx5N60M2.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STMicroelectronics
32D-STU5N60M2

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