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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFHM831TR2PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFHM831TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFHM831TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHM831TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFHM831TR2PBF.pdf
vorrätig: 4570

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Spezifikation

IRFHM831TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFHM831TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFHM831TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (3x3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 12A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 40A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFHM831TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFHM831TR2PBF IRFHM8235TRPBF IRFHM830TRPBF IRFHM830DTRPBF
Artikelnummer IRFHM831TR2PBF IRFHM8235TRPBF IRFHM830TRPBF IRFHM830DTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 30 V 30 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA
Supplier Device-Gehäuse PQFN (3x3) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) PQFN (3x3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 12A, 10V 7.7mOhm @ 20A, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 40A (Tc) 16A (Ta) 21A (Ta), 40A (Tc) 20A (Ta), 40A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V 1040 pF @ 10 V 2155 pF @ 25 V 1797 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad

IRFHM831TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFHM831TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFHM831TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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