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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSP8M4FU6TB
SP8M4FU6TB Image
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SP8M4FU6TB - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SP8M4FU6TB
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SP8M4FU6TB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SP8M4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5370

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Anzahl

Spezifikation

SP8M4FU6TB Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SP8M4FU6TB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SP8M4FU6TB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A, 7A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SP8M4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SP8M4FU6TB.

Produkteigenschaften SP8M4FU6TB SP8M51TB1 SP8M4TB SP8M3TB
Artikelnummer SP8M4FU6TB SP8M51TB1 SP8M4TB SP8M3TB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Leistung - max 2W 2W 2W (Ta) 2W
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal Logic Level Gate - Standard Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A, 7A 3A, 2.5A 9A, 7A 5A, 4.5A
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V - 21nC @ 5V 3.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V - 18mOhm @ 9A, 10V 51mOhm @ 5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V - 1190pF @ 10V 230pF @ 10V
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel - N and P-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer SP8M4 SP8M51 SP8M4 SP8M3
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 100V 30V 30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

SP8M4FU6TB Datenblatt PDF

Laden Sie SP8M4FU6TB PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SP8M4FU6TB - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf
Datenblätter
SP8M4.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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