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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSP8M51FRATB
SP8M51FRATB Image
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SP8M51FRATB - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SP8M51FRATB
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SP8M51FRATB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SP8M51FRATB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48380

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Anzahl

Spezifikation

SP8M51FRATB Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SP8M51FRATB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SP8M51FRATB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta), 2.5A (Ta)  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SP8M51  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SP8M51FRATB.

Produkteigenschaften SP8M51FRATB SP8M70TB1 SP8M51TB1 SP8M4TB
Artikelnummer SP8M51FRATB SP8M70TB1 SP8M51TB1 SP8M4TB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 4V @ 1mA - 2.5V @ 1mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta), 2.5A (Ta) 3A, 2.5A 3A, 2.5A 9A, 7A
Leistung - max 2W 650mW 2W 2W (Ta)
Grundproduktnummer SP8M51 SP8M7 SP8M51 SP8M4
FET-Merkmal - - - Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 250V 100V 30V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V 1.63Ohm @ 1.5A, 10V - 18mOhm @ 9A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V 180pF @ 25V - 1190pF @ 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V 5.2nC @ 10V - 21nC @ 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -

SP8M51FRATB Datenblatt PDF

Laden Sie SP8M51FRATB PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SP8M51FRATB - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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