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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSP8M51TB1
SP8M51TB1 Image
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SP8M51TB1 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SP8M51TB1
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SP8M51TB1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SP8M51TB1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5140

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Anzahl

Spezifikation

SP8M51TB1 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SP8M51TB1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SP8M51TB1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A, 2.5A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SP8M51  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SP8M51TB1.

Produkteigenschaften SP8M51TB1 SP8M7TB SP8M70TB1 SP8M51FRATB
Artikelnummer SP8M51TB1 SP8M7TB SP8M70TB1 SP8M51FRATB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer SP8M51 SP8M7 SP8M7 SP8M51
Leistung - max 2W 2W 650mW 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 5.5nC @ 5V 5.2nC @ 10V 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 30V 250V 100V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id - 2.5V @ 1mA 4V @ 1mA 2.5V @ 1mA
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 230pF @ 10V 180pF @ 25V 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A, 2.5A 5A, 7A 3A, 2.5A 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 51mOhm @ 5A, 10V 1.63Ohm @ 1.5A, 10V 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel

SP8M51TB1 Datenblatt PDF

Laden Sie SP8M51TB1 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SP8M51TB1 - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 26/Jan/2020.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SP8M51TB1

Rohm Semiconductor
32D-SP8M51TB1

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