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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysUS6J11TR
Rohm Semiconductor
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US6J11TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
US6J11TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-US6J11TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
US6J11TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 133200

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Anzahl

Spezifikation

US6J11TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - US6J11TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - US6J11TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V  
Leistung - max 320mW  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 6V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer US6J11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor US6J11TR.

Produkteigenschaften US6J11TR US6K2TR US6J2TR US6J12TCR
Artikelnummer US6J11TR US6K2TR US6J2TR US6J12TCR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer US6J11 US6K2 US6J2 US6J12
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V 2nC @ 5V 2.1nC @ 4.5V 7.6nC @ 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 6V 70pF @ 10V 150pF @ 10V 850pF @ 6V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Leistung - max 320mW 1W 1W 910mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V 240mOhm @ 1.4A, 10V 390mOhm @ 1A, 4.5V 105mOhm @ 2A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2V @ 1mA 1V @ 1mA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A 1.4A 1A 2A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V 30V 20V 12V
Supplier Device-Gehäuse TUMT6 TUMT6 TUMT6 TUMT6

US6J11TR Datenblatt PDF

Laden Sie US6J11TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für US6J11TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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