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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysUS6K1TR
Rohm Semiconductor
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US6K1TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
US6K1TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-US6K1TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
US6K1TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 128300

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Anzahl

Spezifikation

US6K1TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - US6K1TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - US6K1TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer US6K1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor US6K1TR.

Produkteigenschaften US6K1TR US6K2TR US6J2TR US6J12TCR
Artikelnummer US6K1TR US6K2TR US6J2TR US6J12TCR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Grundproduktnummer US6K1 US6K2 US6J2 US6J12
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V 2nC @ 5V 2.1nC @ 4.5V 7.6nC @ 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V 70pF @ 10V 150pF @ 10V 850pF @ 6V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2V @ 1mA 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A 1.4A 1A 2A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V 240mOhm @ 1.4A, 10V 390mOhm @ 1A, 4.5V 105mOhm @ 2A, 4.5V
Serie - - - -
Leistung - max 1W 1W 1W 910mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 20V 12V
Supplier Device-Gehäuse TUMT6 TUMT6 TUMT6 TUMT6
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads

US6K1TR Datenblatt PDF

Laden Sie US6K1TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für US6K1TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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