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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysUS6J2TR
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

US6J2TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
US6J2TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-US6J2TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
US6J2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 121450

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Spezifikation

US6J2TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - US6J2TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - US6J2TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer US6J2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor US6J2TR.

Produkteigenschaften US6J2TR US6J12TCR US6K2TR US6K4TR
Artikelnummer US6J2TR US6J12TCR US6K2TR US6K4TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V 850pF @ 6V 70pF @ 10V 110pF @ 10V
Leistung - max 1W 910mW (Ta) 1W 1W
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 12V 30V 20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A 2A (Ta) 1.4A 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V 105mOhm @ 2A, 4.5V 240mOhm @ 1.4A, 10V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V 7.6nC @ 4.5V 2nC @ 5V 2.5nC @ 4.5V
Supplier Device-Gehäuse TUMT6 TUMT6 TUMT6 TUMT6
Grundproduktnummer US6J2 US6J12 US6K2 US6K4
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

US6J2TR Datenblatt PDF

Laden Sie US6J2TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für US6J2TR - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
US6J2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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