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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelUS6T7TR
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

US6T7TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
US6T7TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-US6T7TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
US6T7TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 172590

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Anzahl

Spezifikation

US6T7TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - US6T7TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - US6T7TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 50mA, 1A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TUMT6  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 280MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A  
Grundproduktnummer US6T7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor US6T7TR.

Produkteigenschaften US6T7TR US6T6TR US6T4TR US6M1/TR
Artikelnummer US6T7TR US6T6TR US6T4TR US6M1/TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Grundproduktnummer US6T7 US6T6 US6T4 -
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 30 V 12 V -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 100mA, 2V 270 @ 200mA, 2V 270 @ 500mA, 2V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) -
Supplier Device-Gehäuse TUMT6 TUMT6 TUMT6 -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A 2 A 3 A -
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads -
Leistung - max 1 W 1 W 1 W -
Frequenz - Übergang 280MHz 360MHz 280MHz -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 50mA, 1A 180mV @ 50mA, 1A 250mV @ 30mA, 1.5A -
Transistor-Typ PNP PNP PNP -

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  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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