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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysUS6T9TR
Rohm Semiconductor
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US6T9TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
US6T9TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-US6T9TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
US6T9TR.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 174990

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Unsere Zertifizierung

Spezifikation

US6T9TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - US6T9TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - US6T9TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA  
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse UMT6  
Serie -  
Leistung - max 400mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 320MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1A  
Grundproduktnummer US6T9  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor US6T9TR.

Produkteigenschaften US6T9TR US6U37TR US6M2GTR US6M11TR
Artikelnummer US6T9TR US6U37TR US6M2GTR US6M11TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Leistung - max 400mW - 1W 1W
Frequenz - Übergang 320MHz - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) - - -
Transistor-Typ 2 PNP (Dual) - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30V - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1A - - -
Grundproduktnummer US6T9 US6U37 US6M2 US6M11
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 100mA, 2V - - -
Supplier Device-Gehäuse UMT6 TUMT6 TUMT6 TUMT6
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads

US6T9TR Datenblatt PDF

Laden Sie US6T9TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für US6T9TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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