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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD17551Q3A
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CSD17551Q3A - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD17551Q3A
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD17551Q3A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
CSD17551Q3A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 102220

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Anzahl

Spezifikation

CSD17551Q3A Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17551Q3A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17551Q3A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SON (3.3x3.3)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD17551  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17551Q3A.

Produkteigenschaften CSD17551Q3A CSD17570Q5B CSD17527Q5A CSD17571Q2
Artikelnummer CSD17551Q3A CSD17570Q5B CSD17527Q5A CSD17571Q2
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V 0.69mOhm @ 50A, 10V 10.8mOhm @ 11A, 10V 29mOhm @ 5A, 4.5V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 100A (Ta) 65A (Tc) 22A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 15 V 13600 pF @ 15 V 506 pF @ 15 V 468 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.9V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-SON (3.3x3.3) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6) 6-SON (2x2)
Verlustleistung (max) 2.6W (Ta) 3.2W (Ta) 3W (Ta) 2.5W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V 121 nC @ 4.5 V 3.4 nC @ 4.5 V 3.1 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 6-WDFN Exposed Pad
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Grundproduktnummer CSD17551 CSD17570Q5 CSD17527 CSD17571

CSD17551Q3A Datenblatt PDF

Laden Sie CSD17551Q3A PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD17551Q3A - Texas Instruments herunter.

PCN -Verpackung
ECAT Label Update 02/Oct/2014.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-CSD17551Q3A

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