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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD17506Q5A
Texas Instruments
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CSD17506Q5A - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD17506Q5A
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD17506Q5A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD17506Q5A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 60280

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Anzahl

Spezifikation

CSD17506Q5A Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17506Q5A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17506Q5A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD17506  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17506Q5A.

Produkteigenschaften CSD17506Q5A CSD17552Q3A CSD17501Q5A CSD17382F4
Artikelnummer CSD17506Q5A CSD17552Q3A CSD17501Q5A CSD17382F4
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 15 V 2050 pF @ 15 V 2630 pF @ 15 V 347 pF @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 15A (Ta), 60A (Tc) 100A (Tc) 2.3A (Ta)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ FemtoFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 2.7 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta) 2.6W (Ta) 3.2W (Ta) 500mW (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) 8-SON (3.3x3.3) 8-VSONP (5x6) 3-PICOSTAR
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 3-XFDFN
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 8V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer CSD17506 CSD17552 CSD17501 CSD17382
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 11A, 10V 2.9mOhm @ 25A, 10V 64mOhm @ 500mA, 8V
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.2V @ 250µA

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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