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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD18531Q5A
Texas Instruments
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CSD18531Q5A - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD18531Q5A
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD18531Q5A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD18531Q5A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 43630

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Spezifikation

CSD18531Q5A Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD18531Q5A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD18531Q5A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 156W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD18531  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD18531Q5A.

Produkteigenschaften CSD18531Q5A CSD18512Q5B CSD18532Q5BT CSD18531Q5AT
Artikelnummer CSD18531Q5A CSD18512Q5B CSD18532Q5BT CSD18531Q5AT
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Grundproduktnummer CSD18531 CSD18512 CSD18532 CSD18531
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 156W (Tc) 139W (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 22A, 10V 1.6mOhm @ 30A, 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V 4.6mOhm @ 22A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 60 V 60 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta), 100A (Tc) 211A (Tc) 100A (Ta) 100A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V - 58 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 30 V 7120 pF @ 20 V 5070 pF @ 30 V 3840 pF @ 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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