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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD18532Q5B
Texas Instruments
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CSD18532Q5B - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD18532Q5B
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD18532Q5B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD18532Q5B.pdf
RoHS Status
vorrätig: 32961

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Anzahl

Spezifikation

CSD18532Q5B Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD18532Q5B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD18532Q5B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 156W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD18532  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD18532Q5B.

Produkteigenschaften CSD18532Q5B CSD18532KCS CSD18535KCS CSD18531Q5AT
Artikelnummer CSD18532Q5B CSD18532KCS CSD18535KCS CSD18531Q5AT
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN TO-220-3 TO-220-3 8-PowerTDFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer CSD18532 CSD18532 CSD18535 CSD18531
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V 4.2mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 4.6mOhm @ 22A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) 100A (Tc) 200A (Ta) 100A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070 pF @ 30 V 4680 pF @ 30 V 6620 pF @ 30 V 3840 pF @ 30 V
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) TO-220-3 TO-220-3 8-VSONP (5x6)
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 250W (Tc) 300W (Tc) 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

CSD18532Q5B Datenblatt PDF

Laden Sie CSD18532Q5B PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD18532Q5B - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
VSON Additional Assembly Site 28/Oct/2013.pdf
HTML -Datenblatt
CSD18532Q5B.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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