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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD18533Q5A
Texas Instruments
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CSD18533Q5A - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD18533Q5A
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD18533Q5A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD18533Q5A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48540

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Anzahl

Spezifikation

CSD18533Q5A Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD18533Q5A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD18533Q5A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 116W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD18533  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD18533Q5A.

Produkteigenschaften CSD18533Q5A CSD18514Q5AT CSD18536KTT CSD18535KTT
Artikelnummer CSD18533Q5A CSD18514Q5AT CSD18536KTT CSD18535KTT
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 100A (Tc) 89A (Tc) 200A (Ta) 200A (Ta)
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 116W (Tc) 74W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 18A, 10V 7.9mOhm @ 15A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) DDPAK/TO-263-3 DDPAK/TO-263-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 60 V 60 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V
Grundproduktnummer CSD18533 CSD18514 CSD18536 CSD18535
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 30 V 2683 pF @ 20 V 11430 pF @ 30 V 6620 pF @ 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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