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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD19538Q2T
Texas Instruments
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CSD19538Q2T - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD19538Q2T
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD19538Q2T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
CSD19538Q2T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 42080

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Anzahl

Spezifikation

CSD19538Q2T Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD19538Q2T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD19538Q2T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-WSON (2x2)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.1A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD19538  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD19538Q2T.

Produkteigenschaften CSD19538Q2T CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19535KTT
Artikelnummer CSD19538Q2T CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19535KTT
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.1A (Tc) 200A (Ta) 50A (Ta) 200A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 14.5mOhm @ 10A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V 153 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse 6-WSON (2x2) DDPAK/TO-263-3 8-VSON (3.3x3.3) DDPAK/TO-263-3
Grundproduktnummer CSD19538 CSD19536 CSD19537 CSD19535
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA 3.2V @ 250µA 3.6V @ 250µA 3.4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 8-PowerVDFN TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) 375W (Tc) 2.8W (Ta), 83W (Tc) 300W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V 12000 pF @ 50 V 1680 pF @ 50 V 7930 pF @ 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

CSD19538Q2T Datenblatt PDF

Laden Sie CSD19538Q2T PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD19538Q2T - Texas Instruments herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 23/Oct/2017.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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