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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD22204W
CSD22204W Image
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CSD22204W - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD22204W
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD22204W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
9-UFBGA, DSBGA
Datenblatt
CSD22204W.pdf
RoHS Status
vorrätig: 61440

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Anzahl

Spezifikation

CSD22204W Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD22204W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD22204W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) -6V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 9-DSBGA  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.7W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 9-UFBGA, DSBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 4 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.6 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD22204  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD22204W.

Produkteigenschaften CSD22204W CSD23202W10 CSD23280F3T CSD23203W
Artikelnummer CSD22204W CSD23202W10 CSD23280F3T CSD23203W
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V 12 V 12 V 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.6 nC @ 4.5 V 3.8 nC @ 4.5 V 1.23 nC @ 4.5 V 6.3 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 1.7W (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta) 750mW (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 900mV @ 250µA 950mV @ 250µA 1.1V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 2A, 4.5V 53mOhm @ 500mA, 4.5V 116mOhm @ 400mA, 4.5V 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 9-UFBGA, DSBGA 4-UFBGA, DSBGA 3-XFDFN 6-UFBGA, DSBGA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta) 2.2A (Ta) 1.8A (Ta) 3A (Ta)
Vgs (Max) -6V -6V -6V -6V
Supplier Device-Gehäuse 9-DSBGA 4-DSBGA (1x1) 3-PICOSTAR 6-DSBGA (1x1.5)
Grundproduktnummer CSD22204 CSD23202 CSD23280 CSD23203
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 4 V 512 pF @ 6 V 234 pF @ 6 V 914 pF @ 4 V
Serie NexFET™ NexFET™ FemtoFET™ NexFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

Lieferung

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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