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CSD22202W15 Image
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CSD22202W15 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD22202W15
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD22202W15
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
9-UFBGA, DSBGA
Datenblatt
CSD22202W15.pdf
RoHS Status
vorrätig: 100530

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Anzahl

Spezifikation

CSD22202W15 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD22202W15 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD22202W15

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) -6V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 9-DSBGA  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 9-UFBGA, DSBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1390 pF @ 4 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD22202  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD22202W15.

Produkteigenschaften CSD22202W15 CSD22204W CSD22205LT CSD19537Q3
Artikelnummer CSD22202W15 CSD22204W CSD22205LT CSD19537Q3
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1390 pF @ 4 V 1130 pF @ 4 V 1390 pF @ 4 V 1680 pF @ 50 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 950mV @ 250µA 1.05V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Vgs (Max) -6V -6V -6V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 2A, 4.5V 9.9mOhm @ 2A, 4.5V 9.9mOhm @ 1A, 4.5V 14.5mOhm @ 10A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta) 5A (Ta) 7.4A (Ta) 50A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 9-UFBGA, DSBGA 9-UFBGA, DSBGA 4-XFLGA 8-PowerVDFN
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.7W (Ta) 600mW (Ta) 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 4.5 V 24.6 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V 21 nC @ 10 V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Grundproduktnummer CSD22202 CSD22204 CSD22205 CSD19537
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 6V, 10V
Supplier Device-Gehäuse 9-DSBGA 9-DSBGA 4-PICOSTAR 8-VSON (3.3x3.3)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V 8 V 8 V 100 V

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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