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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD25481F4
Texas Instruments
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CSD25481F4 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD25481F4
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD25481F4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFDFN
Datenblatt
CSD25481F4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 391440

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Anzahl

Spezifikation

CSD25481F4 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD25481F4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD25481F4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) -12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-PICOSTAR  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 500mA, 8V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 189 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.913 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD25481  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD25481F4.

Produkteigenschaften CSD25481F4 CSD25404Q3T CSD25483F4 CSD25481F4T
Artikelnummer CSD25481F4 CSD25404Q3T CSD25483F4 CSD25481F4T
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN 8-PowerVDFN 3-XFDFN 3-XFDFN
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 2.8W (Ta), 96W (Tc) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta) 104A (Tc) 1.6A (Ta) 2.5A (Ta)
Grundproduktnummer CSD25481 CSD25404 CSD25483 CSD25481
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 3-PICOSTAR 8-VSONP (3x3.15) 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 189 pF @ 10 V 2120 pF @ 10 V 198 pF @ 10 V 189 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 500mA, 8V 6.5mOhm @ 10A, 4.5V 205mOhm @ 500mA, 8V 88mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (Max) -12V ±12V -12V -12V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.913 nC @ 4.5 V 14.1 nC @ 4.5 V 0.959 nC @ 4.5 V 0.91 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.15V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ FemtoFET™

CSD25481F4 Datenblatt PDF

Laden Sie CSD25481F4 PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD25481F4 - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
CSDx 15/Mar/2022.pdf DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf
PCN -Verpackung
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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