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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD25485F5T
Texas Instruments
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CSD25485F5T - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD25485F5T
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD25485F5T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFDFN
Datenblatt
CSD25485F5T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 41620

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Spezifikation

CSD25485F5T Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD25485F5T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD25485F5T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA  
Vgs (Max) -12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-PICOSTAR  
Serie FemtoFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 900mA, 8V  
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 533 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD25485  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD25485F5T.

Produkteigenschaften CSD25485F5T CSD25484F4 CSD25483F4T CSD25485F5
Artikelnummer CSD25485F5T CSD25484F4 CSD25483F4T CSD25485F5
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Supplier Device-Gehäuse 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer CSD25485 CSD25484 CSD25483 CSD25485
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN 3-XFDFN 3-XFDFN 3-XFDFN
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V 1.42 nC @ 4.5 V 0.96 nC @ 4.5 V 3.5 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V 1.8V, 8V 1.8V, 4.5V 1.8V, 8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 533 pF @ 10 V 230 pF @ 10 V 198 pF @ 10 V 533 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 900mA, 8V 94mOhm @ 500mA, 8V 205mOhm @ 500mA, 8V 35mOhm @ 900mA, 8V
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Serie FemtoFET™ FemtoFET™ FemtoFET™ FemtoFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta) 2.5A (Ta) 1.6A (Ta) 3.2A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) -12V -12V -12V -12V

CSD25485F5T Datenblatt PDF

Laden Sie CSD25485F5T PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD25485F5T - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
CSDx 15/Mar/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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