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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD25501F3T
Texas Instruments
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CSD25501F3T - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD25501F3T
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD25501F3T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFLGA
Datenblatt
CSD25501F3T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67520

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Anzahl

Spezifikation

CSD25501F3T Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD25501F3T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD25501F3T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA  
Vgs (Max) -20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-LGA (0.73x0.64)  
Serie FemtoFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 76mOhm @ 400mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-XFLGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 385 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.33 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD25501F3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD25501F3T.

Produkteigenschaften CSD25501F3T CSD25501F3 CSD25480F3 CSD25485F5T
Artikelnummer CSD25501F3T CSD25501F3 CSD25480F3 CSD25485F5T
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
VGS (th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA 1.05V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 76mOhm @ 400mA, 4.5V 76mOhm @ 400mA, 4.5V 132mOhm @ 400mA, 8V 35mOhm @ 900mA, 8V
Supplier Device-Gehäuse 3-LGA (0.73x0.64) 3-LGA (0.73x0.64) 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.33 nC @ 4.5 V 1.33 nC @ 4.5 V 0.91 nC @ 4.5 V 3.5 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 8V 1.8V, 8V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Vgs (Max) -20V -20V -12V -12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1.4W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie FemtoFET™ FemtoFET™ FemtoFET™ FemtoFET™
Verpackung / Gehäuse 3-XFLGA 3-XFLGA 3-XFDFN 3-XFDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta) 3.6A (Ta) 1.7A (Ta) 5.3A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 385 pF @ 10 V 385 pF @ 10 V 155 pF @ 10 V 533 pF @ 10 V
Grundproduktnummer CSD25501F3 CSD25501 CSD25480 CSD25485

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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