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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysCSD88539NDT
CSD88539NDT Image
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CSD88539NDT - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD88539NDT
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD88539NDT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
CSD88539NDT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 44940

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Anzahl

Spezifikation

CSD88539NDT Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD88539NDT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD88539NDT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V  
Leistung - max 2.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer CSD88539  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD88539NDT.

Produkteigenschaften CSD88539NDT CSD88537ND CSD88584Q5DC CSD88539ND
Artikelnummer CSD88539NDT CSD88537ND CSD88584Q5DC CSD88539ND
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 22-VSON-CLIP (5x6) 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 40V 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V 18nC @ 10V 88nC @ 4.5V 9.4nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA 3.6V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V 15mOhm @ 8A, 10V 0.95mOhm @ 30A, 10V 28mOhm @ 5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 22-PowerTFDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung - max 2.1W 2.1W 12W 2.1W
Grundproduktnummer CSD88539 CSD88537 CSD88584Q5 CSD88539
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V 1400pF @ 30V 12400pF @ 20V 741pF @ 30V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A 15A - 15A
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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