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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysCSD88599Q5DC
Texas Instruments
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CSD88599Q5DC - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD88599Q5DC
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD88599Q5DC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
22-PowerTFDFN
Datenblatt
CSD88599Q5DC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13958

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Spezifikation

CSD88599Q5DC Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD88599Q5DC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD88599Q5DC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 22-VSON-CLIP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V  
Leistung - max 12W  
Verpackung / Gehäuse 22-PowerTFDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4840pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer CSD88599Q5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD88599Q5DC.

Produkteigenschaften CSD88599Q5DC CSD88537NDT CSD88584Q5DC CSD88539ND
Artikelnummer CSD88599Q5DC CSD88537NDT CSD88584Q5DC CSD88539ND
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Verpackung / Gehäuse 22-PowerTFDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 22-PowerTFDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal - - - -
Leistung - max 12W 2.1W 12W 2.1W
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 22-VSON-CLIP (5x6) 8-SOIC 22-VSON-CLIP (5x6) 8-SOIC
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 40V 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 18nC @ 10V 88nC @ 4.5V 9.4nC @ 10V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V 15mOhm @ 8A, 10V 0.95mOhm @ 30A, 10V 28mOhm @ 5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4840pF @ 30V 1400pF @ 30V 12400pF @ 20V 741pF @ 30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - 15A - 15A
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer CSD88599Q5 CSD88537 CSD88584Q5 CSD88539

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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