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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT20M22LVRG
Microchip Technology
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APT20M22LVRG - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT20M22LVRG
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT20M22LVRG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 100A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
APT20M22LVRG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1979

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Spezifikation

APT20M22LVRG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT20M22LVRG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT20M22LVRG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 [L]  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 520W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 435 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer APT20M22  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT20M22LVRG.

Produkteigenschaften APT20M22LVRG APT20M45BVRG APT20M22JVR APT20M22JVRU2
Artikelnummer APT20M22LVRG APT20M45BVRG APT20M22JVR APT20M22JVRU2
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Befestigungsart Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Paket Tube Tube Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 4V @ 1mA 4V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-264 [L] TO-247 [B] ISOTOP® SOT-227
Vgs (Max) ±30V ±30V - ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie POWER MOS V® POWER MOS V® POWER MOS V® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V 45mOhm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 48.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10200 pF @ 25 V 4860 pF @ 25 V 10200 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V
Grundproduktnummer APT20M22 APT20M45 APT20M22 APT20M22
Verlustleistung (max) 520W (Tc) 300W (Tc) - 450W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 56A (Tc) 97A (Tc) 97A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 435 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 435 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V

APT20M22LVRG Datenblatt PDF

Laden Sie APT20M22LVRG PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT20M22LVRG - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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