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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT20M38BVFRG
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT20M38BVFRG - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT20M38BVFRG
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT20M38BVFRG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 67A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
vorrätig: 3930

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Spezifikation

APT20M38BVFRG Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT20M38BVFRG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT20M38BVFRG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 370W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6120 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 67A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT20M38BVFRG.

Produkteigenschaften APT20M38BVFRG APT20M45BVRG APT20M22JVRU3 APT20M22LVRG
Artikelnummer APT20M38BVFRG APT20M45BVRG APT20M22JVRU3 APT20M22LVRG
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] TO-247 [B] SOT-227 TO-264 [L]
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6120 pF @ 25 V 4860 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V 10200 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie POWER MOS V® POWER MOS V® - POWER MOS V®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 435 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 500mA, 10V 45mOhm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 48.5A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 67A (Tc) 56A (Tc) 97A (Tc) 100A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 370W (Tc) 300W (Tc) 450W (Tc) 520W (Tc)

APT20M38BVFRG Datenblatt PDF

Laden Sie APT20M38BVFRG PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT20M38BVFRG - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Device OBS 15/Sep/2016.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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